Job Description ・性能や動作領域、電源仕様を満たすセンスMOSFETや温度センサを含んだ、パワーMOSFETブロックの設計・検証・シミュレーション業務 ・アナログブロックのリードと協力し、IPD 製品のシステムおよび設計戦略を行う ・パワー FET の技術的リーダーシップを発揮し、仕様決定から量産段階まで推進します。 Qualifications 必須要件： ・半導体エンジニアとして5～8年の経験者 ・製品開発の各要素（設計手法、設計プロセス、CAD ツール、テスト設計、物理設計、システムアプリケーション）に精通していること ・ドライバーICの熱設計の理解があること ・経験の浅いチームメンバーをサポートし、指導する能力があること ・英語力：日常会話ができる程度（目安TOEIC 600） ・日本語力：日常会話ができる程度 歓迎要件： ・車載向けのアプリケーションまたは製品の開発経験 ・スマートパワーICまたはパワーMOSFET製品ラインの経験 Additional Information ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。 当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20,000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。 当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M&Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。...
