Job Description We are looking for a new engineer for mask layout design. The successful candidate will play a key role in the mask layout design and development of next-generation LV and MV shielded-gate trench MOSFET technologies.
Job Description 【募集背景】 ルネサスは、2035年までに売上高200億米ドルを超える世界第3位の組込み半導体メーカーになることを目指しています。この目標を達成するために、製品単体のソリューションだけでなく、システムレベルでのリファレンスデザイン、PoCの開発を拡大しています。デジタル（MCU/SOC）、アナログ、パワー（PMIC/Power MOSFET/GaN等）製品を活用したリファレンスデザイン、PoCのH/W設計（回路図、Gerber設計）、顧客へのプロモーション・サポートを担当するチームです。製品システムの知識を有し、システム視点でのアプリケーション開発をリードできる方を募集しております。 【職務内容】 今後開発を強化する車載/インダストリアル/IoT向けのリファレンスデザイン、PoCのハードウェア設計者として、以下をご担当していただきます。 CADツールを使った回路/Gerber設計と、PCB評価、アプリケーション試験業務 制御回路（MCU）設計及びパワー半導体駆動などの高圧回路の設計と評価業務 パワー半導体の放熱設計 開発プロジェクトの進捗管理、課題解決 顧客へのプロモーション及び技術サポート ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。 【ポジションの魅力】 自動車向けSoCや産業用システムなど、社会インフラを支える最先端デバイス開発に携われる アーキテクチャ検討から評価まで、幅広い工程に関われる裁量の大きさ グローバル環境でのコラボレーションが多く、技術視点・ビジネス視点の両輪で成長できる 技術的チャレンジに溢れた環境で、自分のアイデアを製品へと落とし込める Qualifications 【MUST】 ハードウェア開発経験（5年以上） 回路図、PCB設計、CAD Tool使用経験 SPICE simulator使用経験 電子回路（デジタル・アナログ）知識をお持ちの方 未経験の開発分野へチャレンジすることに抵抗がない方 ビジネスレベルの日本語 コミュニケーションレベルの英語 【WANT】 自動車部品、又はインダストリアル、IoTメーカーでの製品開発業務経験 パワー半導体製品（インバータ、On-Board Charger、DC/DCコンバータ）設計・評価経験をお持ちの方 Altium Designer PCB設計ツール使用経験 Thermal
Job Description Job Summary: We are looking for a highly motivated and skilled engineer to join our Medium Voltage (MV) Power Trench MOSFET Design Team. The successful candidate will play a key role in the design and
Job Description We are looking for a new engineer for mask layout design. The successful candidate will play a key role in the mask layout design and development of next-generation LV and MV shielded-gate trench MOSFET technologies.
Job Description Background ot the Recruitment 当社は、2035 年までに収益を 200 億ドル以上に成長させることを目指しています。この目標を達成するために、当部門では、Intelligent Power Device(IPD)の製品ポートフォリオをさらに拡大していきます。 この目標を達成するため、開発チームに参加頂き、開発チームの成長に変化をもたらすことができるエンジニアを探しています。 Job Description ・性能や動作領域、電源仕様を満たすセンスMOSFETや温度センサを含んだ、パワーMOSFETブロックの設計・検証・シミュレーション業務を行う。 ・アナログブロックのリードと協力し、IPD 製品のシステムおよび設計戦略を行う。 ・パワー FET の技術的リーダーシップを発揮し、仕様決定から量産段階まで推進します。Qualifications (Must to have) ・半導体エンジニアとして5～8年の経験者 ・製品開発の各要素（設計手法、設計プロセス、CAD ツール、テスト設計、物理設計、システムアプリケーション）に精通していること ・ドライバーICの熱設計の理解があること ・経験の浅いチームメンバーをサポートし、指導する能力があること ・英語力：日常会話ができる程度（目安TOEIC 600） ・日本語力：日常会話ができる程度 (Nice to have) ・車載向けのアプリケーションまたは製品の開発経験 ・スマートパワーICまたはパワーMOSFET製品ラインの経験Additional Information