Job Description [Hiring Background] Reneas has set a goal of achieving over USD 20 billion in revenue by 2035 and will continue to expand the possibilities of advanced semiconductor solutions. Building on this vision, our division
Job Description AIの急速な普及に伴い、データセンターおよびAIサーバーの高性能化と省電力化が重要なテーマとなっています。GPUやアクセラレータの進化により消費電力は増大しており、それを支える電源システムには高効率・高信頼性が求められています。この中核を担うのがPower MOSFETなどのパワー半導体です。 私たちのチームでは、AIサーバー用途に向けた20～100VクラスのPower MOSFETの開発に取り組んでおり，レイアウト設計やTCADを用いた素子構造設計により、デバイス特性の最適化を進めています。 本インターンシップでは、Power MOSFETの設計業務に携わり、レイアウト設計やTCADによる素子設計を体験していただきます。加えて、前工程試作ロットの管理や特性データの整理・解析、結果のまとめにも取り組みます。これらを通じて、設計とデバイス特性の関係を理解できます。 研究室での知識を実際の製品開発に活かせる機会であり、現場エンジニアとの議論を通じて理解を深めることができます。業務は主に日本語で行いますが、海外チームと連携するため英語でのコミュニケーション機会もあります。 （変更の範囲：会社の定める場所） With the rapid expansion of AI technologies, improving the performance and energy efficiency of data centers and AI servers has become increasingly important. The growing power consumption of
Job Description Job Summary: We are looking for a highly motivated and skilled engineer to join our Medium Voltage (MV) Power Trench MOSFET Design Team. The successful candidate will play a key role in the design